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Películas Delgadas de Óxido de Zinc Impurificado con Aluminio

Dispositivos Semiconductores

Erschienen am 25.07.2014, 1. Auflage 2014
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Bibliografische Daten
ISBN/EAN: 9783659085505
Sprache: Spanisch
Umfang: 60 S.
Format (T/L/B): 0.4 x 22 x 15 cm
Einband: kartoniertes Buch

Beschreibung

En este trabajo se estudió la influencia de la concentración del dopante y de la temperatura del sustrato sobre la composición, la morfología y las propiedades eléctricas de películas delgadas de óxido de zinc impurificadas con aluminio (ZnO:Al). El crecimiento de las películas delgadas se realizó por medio de la técnica de rocío pirolítico neumático sobre sustratos de vidrio sodocálcico. La metodología empleada para la formación de la película fue una disolución de partida 0.2 M de pentaneidonato de zinc y pentaneidonato de aluminio.

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Autorenportrait

Profesor Titular "C" Tiempo Completo, en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Unidad Ticomán del Instituto Politécnico Nacional. L. Castañeda ha trabajado por varios años dentro del campo de preparación de óxidos metálicos semiconductores y la física del estado sólido.